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4F 架构全球首产!三星突破DRAM物理极限_蜘蛛资讯网

来源: 新华社
09:28:27

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M芯片可以塞进更多单元,轻薄本、智能手机等终端设备有望在小体积、低功耗前提下,获得更大内存容量和更快数据吞吐速度。     三星为此规划了清晰的路线图——2026年完成10a DRAM开发,2027年开展品质测试,2028年转入量产。     SK海力士计划在10b节点引入4F²+VC

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